Memórias preparam-se para saltar para a faixa dos terahertz
Magnetorresistência colossal
Um material ferroelétrico na forma de uma película de espessura atômica mostrou-se capaz de gravar dados magnéticos em uma frequência na faixa dos terahertz, mais de 1.000 vezes a maior velocidade obtida nas memórias atuais.
A leitura e escrita de dados nessa frequência promete equipamentos eletrônicos operando em um novo patamar de velocidade.
Isto se tornou possível quando um filme de óxidos de perovskita apresentou o fenômeno conhecido como magnetorresistência colossal a temperatura ambiente.
Além disso, o fenômeno pode ser controlado por meio de alterações de temperatura, como nas memórias de mudança de fase, por magnetismo, como nos discos rígidos atuais, ou – ainda mais interessante quando o assunto é velocidade e baixo consumo de energia – por meio de pulsos de luz.
Diferente da magnetorresistência colossal convencional, observada sob campos magnéticos muito fortes e temperaturas criogênicas, o fenômeno observado nas perovskitas opera a temperatura ambiente e sob campos magnéticos de intensidade intermediária.
A demonstração é bastante inicial, mas os resultados indicam que esses materiais ferroelétricos emergentes são adequados para a construção de componentes ópticos e eletrônicos acima da atual faixa dos gigahertz.
“Isso sugere que a magnetorresistência colossal nas frequências THz pode encontrar uso em nanoeletrônica e em componentes óticos THz controlados por campos magnéticos,” escreveu James Lloyd-Hughes, da Universidade de Warwick, que trabalhou com uma equipe do Reino Unido e dos EUA.
Origem: http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=memorias-preparam-se-saltar-faixa-terahertz&id=010110180301
Marcelo Peres
mpperes@guiadocftv.com.br
GuiadoCFTV
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